数据中心光互连 · 从衬底到交换机

从 InP → CPO

一条 AI 集群里的光链路,可以拆成三个问题。弄清每个问题的答案由哪种材料、哪道工艺、哪家公司来回答,EML 与 CW、可插拔与 NPO、CPO 之间的差别就清楚了。

Q1 · 光从哪来只有 InP 和 GaAs 能发光硅是间接带隙,不能做激光器。单模 1310/1550 nm 光源只能来自 InP;850 nm 多模光源来自 GaAs VCSEL。
Q2 · 在哪调制InP 自己调,或交给硅EML 在 InP 芯片上集成电吸收调制器;CW 激光只发连续光,调制由硅光芯片(MZM / 微环)或薄膜铌酸锂完成。
Q3 · 离交换芯片多远20 cm、几 cm、几 mm可插拔模块在前面板,NPO 在 ASIC 旁边的板上,CPO 与 ASIC 共用一块封装基板。电通道越短,越省 DSP 和功耗,越难维修。
交换 ASIC 可插拔主板走线 15–25 cm,进模块后先过 DSP NPO光引擎在主板上紧挨 ASIC,几 cm CPO光引擎与 ASIC 同一封装基板 DSP 光引擎 光引擎 光引擎 ELS 外置光源送来连续光 电损耗 ≈22 dB · 1.6T 端口约 30 W 几 cm · 无完整 DSP 电损耗 ≈4 dB · 1.6T 端口低至 9 W
同一串 PAM4 电信号从交换芯片出发,竖条高度代表信号幅度。铜走线越长,信号衰减越多、边沿越模糊,所以可插拔模块要先用 DSP 把信号恢复,DSP 约占模块功耗的四到五成。NPO 和 CPO 在信号还清晰时就把它转成光(红色)。损耗与功耗数字来自 NVIDIA 2025-08 技术博客。
§1 · 材料体系

为什么激光用磷化铟,调制可以交给硅

能不能发光取决于带隙是否“直接”:电子与空穴复合时能否直接放出光子。InP 和 GaAs 是直接带隙的 III-V 化合物,硅不是。这一条物理事实决定了整个产业的分工。

材料体系带隙工作波长能做的器件做不了晶圆在数据中心的角色
InP 磷化铟直接1260–1625 nm
(O/C 波段)
DFB 激光器、EML、高功率 CW、EAM 调制器、PD/APD、InP PIC大尺寸低成本晶圆2–4 英寸
6 英寸刚起步
所有单模光源。800G/1.6T 的 EML 与硅光用的 CW 都出自这里
GaAs 砷化镓直接850 / 940 nmVCSEL 垂直腔面发射激光器、PD1310 nm 单模长距6 英寸多模短距(SR,≤100 m)与有源光缆 AOC
硅光 SOI间接>1.1 µm 透明波导、MZM / 微环调制器、锗探测器、复用器、光栅/边缘耦合器激光器8 / 12 英寸硅光模块、NPO 与 CPO 光引擎(PIC)
薄膜铌酸锂 TFLN绝缘晶体宽谱透明超高带宽电光调制器(Pockels 效应)激光器、探测器4–6 英寸 LNOI400G/lane 与相干的候选调制方案,尚处早期
一个推论:硅光并不减少对 InP 的依赖,它把 InP 的角色从“发光 + 调制”简化为“只发光”。所以硅光模块里仍然有 InP 的 CW 激光器,CPO 的外置光源 ELS 里也是 InP 的高功率 CW 激光器。另有 GaN Micro LED(420 nm 左右,Avicena 路线)可作 10 m 以内的超短距光源,目前不在主流。
§2 · 工艺流程

一颗光芯片是怎样做出来的

InP 激光器走的是“化合物半导体 IDM”路线:衬底、多次外延、光栅、解理、镀膜都在同一家厂里完成,九成以上产能是 IDM。硅光走的是 CMOS 代工路线,在 8/12 英寸产线上用成熟节点完成。点选标签切换芯片类型,按“播放”看芯片一层层做出来,也可以点任意一步直接跳过去。

DFB 激光段 · 直流偏置隔离EAM 调制段 · 高速信号 I_bias(恒定电流)PAM4 电信号 减薄时磨掉 n-InP 衬底 InGaAlAs / InGaAsP 多量子阱(发光) λ/4 相移DFB 光栅 · 周期约 200 nm EAM 量子阱(吸收边可调)对接再生长界面(butt-joint) p-InP 上包层(三次外延)p-InP 上包层 隔离槽 HR 高反膜AR 增透膜 调制光 横截面 · 垂直于光路 刻出脊型波导 BCB BCB 光场被脊限制
EML = DFB 激光器 + 电吸收调制器(EAM),做在同一颗 InP 芯片上。激光段始终以恒定电流发光,EAM 段通过电压改变量子阱的吸收边来“开关”光。激光器不被高速调制,所以啁啾小、能跑 100G/200G 每通道和 2 km 以上。代价是要多一次对接外延,良率和成本都更难。
  1. 衬底:VGF / VB 法生长 InP 单晶,切片、研磨、CMP 抛光成 2/3/4 英寸片。单晶生长良率的物理上限约 40%,是 InP 区别于 GaAs 的硬约束。住友电工(VB)· AXT 北京通美(VGF)· JX 金属(LEC)
  2. 一次外延(MOCVD):n-InP 缓冲层、InGaAlAs/InGaAsP 多量子阱有源区、光栅层,每层几纳米到几百纳米,组分需与 InP 晶格匹配。设备 Aixtron · Veeco · 中微公司(评估中)
  3. 做光栅:电子束光刻(EBL)、全息干涉曝光或纳米压印刻出约 200 nm 周期的布拉格光栅,中间加 λ/4 相移保证单纵模;随后二次外延把光栅埋起来。EBL 设备是国内扩产卡点之一。
  4. 对接生长 EAM:在调制区刻掉激光量子阱,再长一套带隙更宽的 EAM 量子阱(butt-joint regrowth)。另一条路线是选择区域生长(SAG),用介质掩膜让一次外延长出两种带隙。
  5. 上包层与接触层:再生长 p-InP 包层和 p-InGaAs 欧姆接触层。到这里已经是第三次外延。
  6. 波导成形:干法刻蚀成脊型波导(RWG);或刻成窄条后用掺 Fe 半绝缘 InP 掩埋(BH 结构),电流限制更好、电容更小。
  7. 隔离与降电容:两段之间刻隔离槽或离子注入;EAM 焊盘下填 BCB / 聚酰亚胺,压低寄生电容,200G 每通道需要 EAM 带宽 50 GHz 以上。
  8. 金属化与减薄:p 面电极、晶圆减薄、背面 n 电极。前道(光刻、光栅、刻蚀、金属)约占晶圆成本的 43%。
  9. 解理与镀膜:解理成 bar 条,后端面镀高反膜(HR),出光端镀增透膜(AR)。这一步只有边发射激光器才有。
  10. 测试与筛选:bar 条测试、切成单颗 die、高温老化(burn-in),测 LIV、光谱、眼图,合格品贴到载体(COC)交给模块厂。
IDM 与代工的差别会影响扩产节奏。InP 没有 GaAs 那样成熟的外延代工体系,九成以上是 IDM(Lumentum、Coherent、三菱、住友、源杰等),少量外延代工来自联亚光电、全新光电、IQE。MOCVD 交期从 8 个月拉长到 10–12 个月,EBL 光栅设备也是瓶颈。硅光 PIC 则可以在 Tower、GlobalFoundries、台积电等代工厂流片,模块厂自己做设计即可。
§3 · 芯片类型

EML、CW、DML、VCSEL 有何异同

四种激光器都把电变成光,区别在于“谁来承载高速信号”。DML 和 VCSEL 直接调电流;EML 用集成的调制器;CW 把调制交给外面的硅光或 TFLN 芯片。

驱动电流 = 信号 DFB
DML直接开关激光器电流,激光器本身在闪烁,高速下啁啾明显。
恒定电流 信号 DFB EAM
EML激光段一直亮着,EAM 像快门一样按信号开关吸收。
CW 相位电极
CW + 硅光恒定光分两路,电极改变一臂的相位,干涉后变亮或变暗。
850 nm 多模 VCSEL
VCSEL垂直于晶圆出光,同样直接调电流,便宜但只能跑短距。
EMLCW DFB(硅光光源)DMLVCSEL
材料InPInPInPGaAs
结构DFB + EAM 单片集成,两段电极单段 DFB,长腔、高功率单段 DFB垂直腔,上下 DBR + 氧化孔径
谁承载信号EAM 调吸收外部调制器(硅 MZM / MRM、TFLN)直接调激光电流直接调激光电流
单通道速率100G / 200G PAM4 量产,400G 研发取决于外部调制器,200G 量产50G / 100G 为主,啁啾限制更高速率100G 量产;Coherent 已推 200G VCSEL(1.6T SR8)
典型距离500 m – 2 km(DR / FR / LR)500 m 以内为主(DR),可做 FR2–10 km 低速场景≤100 m(多模)
每只 800G 用量8 颗 100G EML2 颗 100 mW(每颗分 4 路)—8 颗(SR8)
每只 1.6T 用量8 颗 200G EML4 颗 100 mW 或 2 颗 200 mW——
工艺难点对接外延、EAM 高带宽、良率高功率可靠性、端面 COD、偏振啁啾与带宽氧化孔径控制、高速下的可靠性
CPO / NPO 中基本不用;EML 的主场是 FR 可插拔(谷歌 1.6T 仍以 EML FR 为主)主角:NPO 内置 100–400 mW;CPO 的 ELS 用 350–400 mW 级不用3.2T VCSEL NPO:博通 OFC 2026 展示,Coherent 也在推
主要供应商Lumentum、Coherent、三菱电机(200G 于 2024 年量产)、住友电工、博通;国内源杰、长光华芯起量住友、Lumentum、Coherent;国内源杰、仕佳、纳真(原海信宽带)、敏芯三菱、住友、国内多家Coherent、博通等

硅光模块和 EML 模块怎么选

在 1.6T 一代,硅光方案约占 60–70%。一只 1.6T 硅光 DR8 模块只要 4 颗 CW,EML 方案要 8 颗 200G EML。而 200G EML 正是 2026 年最紧的物料:外延、器件良率、封装与认证都在排队。硅光的 BOM 约 $450,EML 方案约 $560–580。EML 的优势在 2 km 的 FR 场景和向 400G/lane 演进的材料潜力。

01,0002,0003,0004,0005,000
100G / 200G EML
≈2,800
70 mW CW
4,000–5,000
100 mW CW
≈2,100
200 mW CW
≈1,200
每片 3 英寸 InP 晶圆的合格 die 数(40–50% 良率口径,70 mW 取区间中值 4,500 画条)。功率越高,单颗面积越大,每片能切出的颗数越少。所以硅光模块虽然激光器颗数少,对 InP 衬底需求的减少幅度有限。来源:ob-research 2026-04-26 InP 专家访谈。

调制器的两种硅光结构

MZM 马赫-曾德尔

毫米级行波电极
  • 光分两臂,相位差决定干涉后强弱
  • 毫米级长度,宽带、对温度不敏感
  • 驱动功耗较高,占面积大
  • 可插拔硅光模块主流;博通 CPO 光引擎采用

MRM 微环

加热器锁波长直径约 10 µm
  • 直径约 10 µm 的环形谐振腔,只对特定波长起作用
  • 面积和功耗都很小,天然适合波分复用
  • 对温度极敏感,需要加热器和闭环锁波长
  • 英伟达 CPO 光引擎采用
§4 · 三种形态

可插拔、NPO、CPO:光电转换点离交换芯片多远

三种方案用的是同一批芯片:InP 激光器、硅光 PIC、驱动器与 TIA。差别在于把它们装在哪里。光电转换点越靠近 ASIC,电通道越短,需要的信号补偿越少;同时越难单独更换,产业链价值也越向芯片与封装厂集中。

可插拔 Pluggable 前面板 交换 ASIC 光 DSP 铜走线 ≈15–25 cm OSFP 模块 电信号要在主板上走很长一段, 所以模块里必须有 DSP 做均衡与重定时。
近封装 NPO 光纤接口 ELS? 可选外置 交换 ASIC NPO 光引擎 几 cm 插座 / LGA 光引擎贴近 ASIC 但仍可拔插更换; 去掉完整 DSP,前面板只剩光纤接口。
共封装 CPO ELS 外置光源 光纤接口 ASIC OE OE 保偏光纤送光 同一封装基板 · 毫米级 光引擎与 ASIC 共用封装基板,不需要 DSP; 唯一能热插拔的有源部件是外置光源。

示意图不按比例;三张图中 ASIC 位置相同,彩色粗线代表 ASIC 到光电转换点的电通道。

可插拔NPOCPO
物理形态OSFP / QSFP-DD 独立产品,带外壳与散热鳍片,插在前面板笼子里无外壳或轻外壳的光引擎模组,经插座 / LGA 装在主板或子卡上,紧挨 ASIC 封装没有独立产品形态:光引擎是交换芯片封装的一部分;前面板只有 ELS 与光纤连接器
ASIC 到光引擎主板走线 15–25 cm + 连接器;200G 通道电损耗约 22 dB几 cm 短走线封装基板内,毫米级;电损耗约 4 dB
信号补偿完整 DSP(800G 5nm,1.6T 3nm)无完整 DSP:线性直驱,或主板侧 retimer(专家称 Credo 供 retimer)无 DSP,ASIC SerDes 直接驱动
光源位置模块内:EML 或 CW + 硅光内置 CW(客户偏好)或外置 ELS;也有 VCSEL 版本必须外置:前面板 ELS,经保偏光纤送光
功耗800G 约 14–16 W,1.6T 约 25–30 W(NVIDIA 口径 30 W),DSP 约占四到五成无权威公开数字;专家称比可插拔省约三分之一NVIDIA:每 1.6T 端口低至 9 W;博通 Bailly:5.5 W / 800G(可插拔 14 W)
坏了怎么修单只拔出更换,故障域 = 一个端口光引擎可拆换;FAU 可拆卸光引擎坏了基本只能整板返修;激光器最易坏,所以外置成可插拔 ELS
标准化MSA 成熟,多供应商互换Open CPX MSA(Ciena、Coherent、Marvell 等)2026-09 发布 socket 式 7.2T 规范;各 CSP 实际形态仍不统一产品为厂商私有设计;OIF 有 3.2T 共封装模块与 ELSFP 实施协议,OCI MSA 面向 scale-up
谁做光引擎模块厂:旭创、新易盛、Coherent、Lumentum 等仍是模块厂,但为邀请制,集中于旭创、新易盛、CoherentNVIDIA 定义、台积电制造封装;模块厂只拿 ELS、FAU、光纤套件
节奏2026–2027 主赛道:800G / 1.6T2026H2 送样,2027 年中后首批量产Spectrum-X Photonics 2026-06 宣布全面量产,规模放量仍受系统良率约束;NVIDIA 称 Feynman 起 scale-up 铜与 CPO 并用,广泛放量偏 2029–2030
CPO 为什么这么难量产:系统良率是乘法。一颗 Spectrum-6 ASIC 周围有 32 个光引擎,单次贴装良率即使有 95%,整机良率也只有 0.9532 ≈ 19%;要到约 85%,单次贴装良率需要约 99.5%,而贴上去之后几乎无法返工。Quantum-X 的单个光学子组件只有 3 个光引擎,所以先出货。(SemiAnalysis 2026-06 测算,示意性计算)

动手算:CPO 整板良率

99.0%
光引擎数

32 个:Spectrum-6 一颗 ASIC 周围的光引擎数

72.5%整板良率 = 单次良率N

要让整板良率达到 85%,单次贴装良率需 ≥ 99.49%

点“贴一块板”,看光引擎逐个贴到封装基板上。任何一个失败,整块板都无法返工。

ASIC

每比特功耗

05101520 pJ/bit
1.6T 可插拔(DSP)
18.8
800G 可插拔(DSP)
17.5
800G LPO
10.6
1.6T LRO
6.9
博通 CPO(Bailly)
6.9
NVIDIA CPO
5.6
由厂商公布的功耗除以速率换算:1.6T 可插拔 30 W 与 CPO 9 W 来自 NVIDIA;800G 可插拔 14 W 与 Bailly 5.5 W 来自博通;LPO ≤8.5 W、LRO 典型 11 W 来自产品规格书。模块级功耗不含主机侧 SerDes,LPO/LRO 把均衡交给了主机,横向比较会偏乐观。NPO 暂无权威公开数字。
NPO 与 CPO 的边界并不清晰。常见的划分是:CPO 的光引擎与 ASIC 在同一块封装基板或中介层上,电通道毫米级;NPO 的光引擎是独立单元,装在主板上紧挨 ASIC,电通道厘米级,通常经插座安装以保留可维修性。Open CPX 把“插座式 CPO”写进规范,NVIDIA 高管也可能把 NPO 统称为 CPO,看新闻时要按结构判断。
§5 · PIC 结构

同一条发射链路,在三种方案里怎么拆

把一条光链路按“ASIC 接口 → 信号补偿 → 电芯片 → 硅光芯片 → 光纤耦合 → 光源”六个环节排开,三种方案的 PIC 本身都是硅光,区别集中在左右两端:左边去掉了 DSP,右边把激光器挪了出去,中间的电芯片从“并排”变成“叠在上面”。

ASIC 接口 信号补偿 电芯片 EIC 硅光 PIC 光纤耦合 光源 可插拔1.6T DR8 硅光 NPO3.2T / 6.4T 光引擎 CPONVIDIA COUPE 主板 SerDes 200G×8走线 15–25 cm DSP3nm · 占功耗四到五成 Driver + TIA分立芯片,并排打线 8 × MZM + Ge PD通道间距 625 µm FAU + MPO-168 发 8 收,胶固 4 × 100 mW CW模块内 · 透镜+隔离器 主板短走线 · 几 cm经 LGA 插座 无完整 DSP直驱或 retimer Driver/TIA 倒装叠在 PIC 上 · 2.5D 32 通道起 · 1 颗≈3.2T间距缩到 375 µm 可拆卸 FAU 32 通道模块厂外采 内置 CW 为主8×100 mW 或4×400 mW;或外置 同一封装基板毫米级 · 200G SerDes 无ASIC 直驱 EIC(N6,分析师)SoIC 混合键合 · 3D 微环 MRM + 加热器1.6T / 3.2T 每引擎 DFAU 36 通道32 单模 + 4 保偏机械卡扣,可拆 前面板 ELS8 × 350–400 mW保偏光纤进 PIC
虚线框表示该环节在此方案中被省掉。NPO 的“有没有 DSP”存在专家分歧:一说 6.4T 为线性直驱(与 1.6T LPO 同源),一说 3.2T NPO 配 4 颗 retimer。数据来源:ob-research 2026-03 至 2026-09 CPO / NPO 调研纪要(专家口径)。
PIC / 光引擎可插拔硅光NPO 光引擎NVIDIA CPO博通 CPO
调制器MZMMZM 为主;另有 VCSEL 版本微环 MRM,需 ±0.1–0.4 ℃ 级温控MZM
EIC 集成并排,打线或倒装倒装叠在 PIC 上(2.5D),EIC 引脚 1,000+ 需扇出3D:台积电 SoIC-X 混合键合(COUPE);分析师称 EIC N6、PIC N65TH5 Bailly:2.5D 扇出封装;TH6 Davisson 转用台积电 COUPE
单引擎带宽800G / 1.6T 一只模块3.2T / 4.8T / 6.4T / 7.2TQuantum-X:1.6T;Spectrum-X:3.2T(16 发 16 收)6.4T(64 通道);TH5 51.2T 用 8 个,TH6 102.4T 用 16 个
光耦合边耦合为主可拆卸 FAU官方:面法向出光、可拆卸光纤连接器、集成 fiber shuffle;专家:DFAU 机械卡扣,台积电在 PIC 上加工定位槽边耦合
PIC 代工Tower、GF、ST、自研设计Tower、ST、GF、中芯等台积电Bailly:Silterra(专家口径);Davisson:台积电
光源模块内 CW内置或外置外置 ELS:每个 8 颗激光器供 32 条发射通道外置 ELSFP,可现场更换
实测——Lambda 测评:每个 GB300 平台的网络光学功耗约 7.0 kW → 3.95 kW(媒体转述)Meta 测试:100 万个 400G 等效端口小时零链路抖动,光学功耗降 65%
§6 · 案例对照

英伟达选 CPO,谷歌倾向 NPO

两家公司面对同一个问题:200G/400G 每通道下,铜和长走线撑不住了。英伟达掌握 GPU、交换芯片、网卡和整柜设计,可以把光引擎直接做进自己的交换芯片封装。谷歌的 TPU 网络依赖 OCS 光交换和多家模块供应商,更看重可维护性与供应商灵活性。

英伟达:把光引擎做进交换机

Quantum-X Photonics
Q3450 · InfiniBand
Spectrum-X Photonics
SN6810 · 以太网
Spectrum-X Photonics
SN6800 · 以太网
总带宽115.2 Tb/s102.4 Tb/s409.6 Tb/s
端口144 × 800G128 × 800G 或 512 × 200G512 × 800G 或 2,048 × 200G
交换 ASIC4 颗 Quantum-3(每颗 28.8T)1 颗 Spectrum-64 颗 Spectrum-6
光引擎72 × 1.6T:每颗 ASIC 由 6 个 4.8T 光学子组件承担,每个子组件 3 个 COUPE 引擎32 × 3.2T(每个 16 发 16 收)128 × 3.2T
外置光源 ELS18 个,每个 8 颗激光器 → 共 144 颗,驱动 144 个 800G 端口16 个(专家称每颗 350 mW)64 个
激光器少 4 倍可插拔 DR 模块每条通道 1 颗激光器;ELS 中 1 颗激光器供 4 条 200G 发射通道(每个 ELS 8 颗供 32 条)
每 1.6T 端口可插拔通常 30 W,CPO 低至 9 W;200G 通道电损耗 22 dB → 4 dB
官方性能口径2025-03:能效 3.5 倍、网络韧性 10 倍、激光器少 4 倍;2026:改称能效 5 倍、AI 正常运行时间 5 倍
光纤耦合72 个 20 通道 FAU(4 保偏 + 8 发 8 收),胶接;前面板 144 个 MPO每个光引擎 1 个 36 通道 DFAU(32 单模 + 4 保偏),可插拔同 SN6810
机箱与散热Q3450-LD:4U,双回路液冷,48V 母排(Lambda 测评)—
状态(2026-10)官方供货时间从 2025 年底推到 2026 年初;Lambda 2026-06 拿到 Q3450-LD 测评,媒体对是工程样品还是量产说法不一;专家称 2026 年约 2,500–3,000 台2026-06-01 GTC 台北宣布全面量产,首批用户 CoreWeave、Lambda、OCI。SemiAnalysis 2026-06 认为 3.5 dB 以上的板级插损与 32 个光引擎的系统良率仍会拖慢规模放量

端口、带宽、ASIC、光引擎与 ELS 结构来自 NVIDIA 官方新闻稿与技术博客(2025-03、2025-08、2026-01、2026-06);FAU 通道数、单颗激光器功率、出货量来自 Bernstein、SemiAnalysis 与 ob-research 专家纪要。

CPO 交换机内部 服务器 ConnectX 网卡 仍用可插拔光模块 网卡侧不变 ELS × 18前面板可插拔 MPO × 144光纤接口 Shuffle box × 2 1,440 根光纤 1,152 单模 + 288 保偏 FAU × 72 20 通道 Quantum-3 1.6T 光引擎 ×4 颗 ASIC,每颗 18 个光引擎(图中画 6 个示意) 连续光进 · 保偏光纤 调制后的数据光 · 单模光纤 旭创 · 新易盛Coherent · Fabrinet 激光模块:天孚(官方)激光芯片 Lumentum · CoherentMT/MMC:US Conec 康宁(太辰光代工)波若威 · Molex保偏光纤:康宁 天孚 · 致尚+Senko上诠/波若威 · 康宁+太辰光微透镜:炬光 · Coherent 硅光:台积电 COUPE · 封测:矽品(官方)整机:鸿海(官方)· Fabrinet耦合前道:天孚(专家口径)
Quantum-X Photonics 交换机内部光路。连续光从前面板 ELS 经保偏光纤进入光引擎,调制后的数据光经同一个 FAU、Shuffle box 回到前面板。CPO 只改变交换机这一端,服务器网卡那一端仍是可插拔模块。台积电、矽品、天孚、鸿海的分工为 NVIDIA 2026-06 官方表述;其余分工来自 ob-research 专家纪要,份额与认证状态待验证。

英伟达为什么押 CPO

  • 技术:光引擎与 ASIC 同基板,省掉 DSP;每 1.6T 端口从约 30 W 降到 9 W,激光器少 4 倍
  • 生态:把机柜内互联做成封闭体系,对抗 CSP 自研 ASIC 与以太网标准化(广发 2026-05 卖方观点)
  • scale-up:Rubin Ultra 二层互联首次引入光,内部 CPO 首选、NPO 与可插拔并行兜底
  • 路线:GTC 2026 宣布 Feynman 起 scale-up 铜与 CPO 并用,2028 路线图含 CPO NVLink 交换机
  • 代价:系统良率乘法、板级插损、几乎无法返修;Spectrum-X 已宣布量产,放量节奏仍有争议

谷歌为什么倾向 NPO

  • TPU 机柜由谷歌自己设计,多供应商(旭创主供,Coherent 参与)是采购底线
  • OCS 网络下光模块数量多,坏件要能单独更换;专家称谷歌要等 CPO 故障率足够低才会用
  • NPO 仍由模块厂交付,沿用现有产业链;规格以 6.4T 为主,4.8T 疑为谷歌定制
  • 导入节奏有分歧:一说 TPU v8 已排除 CPO/NPO、v9 有限导入;一说 v8i 有 10–15% 用 1.6T NPO
  • 谷歌官方从未公开 NPO 计划。2026-04 流传约 1,200 万只 NPO 订单(旭创 60%、新易盛 40%),旭创未证实

谷歌:TPU 的光互连长什么样

OCS 光电路交换层 Palomar MEMS 微镜 · TPU v7 每个 pod 48 台(X/Y/Z 各 16,专家口径) Cube = 64 颗 TPU = 1 个机柜 柜内 3D Torus:AEC 铜缆 Ironwood pod = 9,216 颗 TPU 8t superpod = 9,600 颗 柜间:可插拔光模块 800G/1.6T,配 OCS ◌ NPO 候选位置:托盘出光、交换机到网卡,替代柜内铜缆或可插拔
OCS 只偏转镜片、重新对准光路,不做光电转换;动画每几秒自动切换一次。
谷歌 TPU 的 ICI 网络是 3D Torus:机柜内用铜,机柜之间用可插拔光模块接入 OCS,由 OCS 动态重组拓扑。TPU v4 论文披露 Palomar 为 136×136 MEMS OCS,只占系统成本不到 5%、功耗不到 3%。每次经过 OCS 有 2–3 dB 插损,谷歌为此定制了 2.4T 轻相干模块(8×300G,Marvell DSP,Coherent / Lumentum 验证领先,专家口径)。pod 规模来自谷歌官方,OCS 台数来自专家纪要。

使用场景:哪种形态用在哪里

场景距离可插拔NPOCPO
机柜内 scale-up
GPU↔NVSwitch、TPU↔TPU
< 几 m今天以铜为主(NVL72 背板、TPU 柜内 AEC);可插拔 / LPO 与 AEC 竞争CSP 首选候选:AWS Trainium 4 用 3.2T NPO(1 个对 2 颗 ASIC);NVIDIA 设想 7.2T NPO 对 1 颗 GPUNVIDIA 长期目标;广泛放量偏 2029–2030
跨机柜 scale-up10–100 m谷歌 TPU 当前方案(配 OCS)Rubin Ultra 二层互联候选之一;谷歌 v9 可能有限导入Rubin Ultra 二层互联首选方案
scale-out 交换网络30 m – 2 km主力:800G / 1.6T DR / FR;1.6T 硅光占六到七成谷歌、AWS 在测交换机到网卡链路NVIDIA Quantum-X / Spectrum-X Photonics,只替换交换机侧
OCS 光交换层园区内可插拔 + 2.4T 轻相干补偿插损——
数据中心互联 DCI10–120 km相干可插拔(ZR / ZR+)独占不适用不适用
§7 · 供应商地图

每个组件由谁供应

按产业链从上到下排列。每家公司标注它服务的形态(可插拔 / NPO / CPO)和信息可信度:公开 指公司公告、官方合作名单或公开产品;口径 指卖方或专家访谈,份额与独家关系均待验证。

形态
地区
组件供应商形态可信度说明
§8 · 口径与来源

哪些数字可以直接用,哪些只能看方向

本页的工艺原理与器件结构属于行业通识。产品规格优先采用 NVIDIA、博通等公司的官方发布。份额、单价、出货量、独家关系大多来自卖方路演与专家访谈,同一问题常有数倍差异,页面中保留了冲突口径,未做调和。

主题主要来源使用方式
InP 衬底、外延、晶圆切晶数ob-research《光芯片》子行业笔记;InP 衬底专家访谈 2026-04-26;Yole 2021 成本结构专家口径,看结构与方向
EML / CW 供需与分档广发通信 2026-05-28;兴业通信 2026-05-17 / 2026-08;光模块电芯片专家 2026-08;新易盛 CW 专家 2026-02-09卖方与专家口径
NVIDIA CPO 结构与价值量CPO / OE / FAU 调研 2026-03-06、03-07;光模块瓶颈物料调研 2026-07-08;Bernstein 2026-03;SemiAnalysis 2026-02、2026-06;前 NV 产品经理专家 2026-05-29专家口径;官方规格以 NVIDIA 发布为准
NPO 结构、客户与供应商旭创产业链 NPO 调研 2026-07-03;海光芯正调研 2026-07-20;博通专家交流(2026-10-02 整理);AceCamp 谷歌 TPU 光学 2026-08/09;MS NPO Update 2026-04-07专家口径,NPO 数量差异达数倍
谷歌 TPU 与 OCS前谷歌 PM 专家 2026-05-28;OCS 专家交流 2026-09-03;TPU v4 论文;Ironwood 发布pod 规模与 Palomar 为官方,其余为专家口径
NVIDIA CPO 官方规格GTC 2025 新闻稿;2025-08 功耗博客;2025-08 光引擎与 ELS 博客;2026-01 Spectrum-X 博客;2026-06 GTC 台北官方
博通 CPO 与 Meta 测试TH5 Bailly 产品简介;TH6 Davisson 与 Meta 测试见行业媒体报道(2025-10)官方与媒体转述
标准OIF 3.2T Co-Packaged Module IA(2023)与 ELSFP;Open CPX MSA(2026-09 规范);OCI MSA(2026-03)官方
激光器产品Coherent 400 mW CW;Lumentum OFC 2026 新闻稿;三菱电机 200G EML(2024);NVIDIA 投资 Lumentum、Coherent 新闻稿(2026-03-02)官方