长鑫 4F² DRAM:从 6F² 到 4F²
从 F 与存储单元开始,通过动画理解晶体管竖立、位线下埋、混合键合及密度与良率的取舍。
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从 F 与存储单元开始,通过动画理解晶体管竖立、位线下埋、混合键合及密度与良率的取舍。
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用 36 个真实投研任务测试 8 套模型与 Agent 系统:GLM 5.3 和 Claude Sonnet 5 跑满全量组,真正拉开差距的是材料路由、权限边界与财报语义约束。